SIHFB20N50K-E3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

N-канал 500V 20A (Tc) 280W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2461229

Технические параметры

Вес, г

2.759

Base Product Number

SIHFB2 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

20A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2870pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

280W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 12A, 10V

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

SIHFB20N50K-E3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.