IXFH88N30P, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1000 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-247AD (IXFH), инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 88 А

N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™
N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2440959

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

8.56

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

88 A

Package Type

TO-247

Максимальное рассеяние мощности

600 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5.3мм

Высота

21.46мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

16.26мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

IXYS

Series

HiperFET, Polar

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

180 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

88A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

6300pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

600W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 44A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AD (IXFH)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Id - непрерывный ток утечки

88 A

Pd - рассеивание мощности

600 W

Qg - заряд затвора

180 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

40 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

300 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

24 ns

Время спада

25 ns

Длина

16.26мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

40 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

HiperFET, Polar

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

96 ns

Типичное время задержки при включении

25 ns

Торговая марка

IXYS

Упаковка / блок

TO-247-3

Тип

Polar HiPerFET Power MOSFET

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-247

Размеры

16.26 x 5.3 x 21.46мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

25 ns

Производитель

IXYS

Maximum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

180 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

6300 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

88A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

600W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

300V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 4mA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

88 А

Maximum Power Dissipation

600 Вт

Height

21.46мм

Maximum Drain Source Resistance

40 мΩ

Channel Type

California Prop 65

Warning Information

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 149 КБ
Datasheet IXFH88N30P , pdf , 155 КБ
Datasheet IXFH88N30P , pdf , 595 КБ

IXFH88N30P - характеристики, поставщики

Последняя цена 1000 руб.

Техническая документация