IXFK200N10P, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1070 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-264AA (IXFK), инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 200 А

МОП-транзистор 200 Amps 100V 0.0075 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2440953

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

13.04

Ширина

5.31 mm

Высота

26.59 mm

Series

HiPerFETв„ў, PolarP2в„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

200A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

235nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-264-3, TO-264AA

Power Dissipation (Max)

830W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 100A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-264AA (IXFK)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Id - непрерывный ток утечки

200 A

Pd - рассеивание мощности

830 W

Qg - заряд затвора

235 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7.5 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

35 ns

Время спада

90 ns

Длина

20.29 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

Polar, HiPerFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

60 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFK200N10

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

150 ns

Типичное время задержки при включении

30 ns

Торговая марка

IXYS

Упаковка / блок

TO-264-3

Тип

Polar HiPerFET Power MOSFET

Упаковка

Tube

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFK200N10P , pdf , 203 КБ
Datasheet IXFK200N10P , pdf , 202 КБ

IXFK200N10P - характеристики, поставщики

Последняя цена 1070 руб.

Техническая документация