SI3590DV-T1-E3 - характеристики, поставщики

SI3590DV-T1-E3

Последняя цена 49 руб.

SI3590DV-T1-E3

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: SOT236, АБ

МОП-транзистор -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2432299

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel, P-Channel

Вес, г

0.01

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

2.5 A, 1.7 A

Pd - рассеивание мощности

0.83 W, 0.83 W

Qg - заряд затвора

3 nC, 3.8 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

77 mOhms, 170 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

4.5 V, - 4.5 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

600 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

12 ns, 15 ns

Время спада

7 ns, 20 ns

Другие названия товара №

SI3590DV-T1

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

10 S, 5 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI3

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel, 1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

13 ns, 20 ns

Типичное время задержки при включении

5 ns, 5 ns

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

TSOP-6