MJF45H11G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 260 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: TO-220FP, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А, 36Вт

Биполярные транзисторы - BJT 10A 80V 50W PNP

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2429863

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

2.86

Base Product Number

MJF45 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

10A

Current - Collector Cutoff (Max)

1ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 4A, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

40MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220FP

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Transistor Polarity

PNP

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

20 MHz

Number of Elements per Chip

Length

10.63mm

Transistor Configuration

Isolated

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Package Type

TO-220

Maximum Power Dissipation

36 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.9mm

Maximum DC Collector Current

10 (Continuous) A, 20 (Peak) A

Height

16.12mm

Pin Count

Dimensions

10.63 x 4.9 x 16.12mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

Pd - Power Dissipation

36 W

Тип транзистора

PNP

Pd - рассеивание мощности

36 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

16.12mm

Длина

10.63 mm (Max)

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

10 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

5 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

10 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

MJF45H11

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Ширина

4.9mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

40 MHz

Series

MJF45H11

Максимальное рассеяние мощности

36 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 V

Product Category

Bipolar Transistors - BJT

Configuration

Single

Packaging

Tube

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Manufacturer

ON Semiconductor

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.5 V dc

Тип корпуса

TO-220

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1.5 V dc

Transistor Material

Collector- Base Voltage VCBO

5 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Continuous Collector Current

10 A

DC Collector/Base Gain Hfe Min

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Factory Pack Quantity

Mounting Style

Through Hole

Product Type

BJTs - Bipolar Transistors

Subcategory

Transistors

Unit Weight

0.081130 oz

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Gain Bandwidth Product FT

40 MHz

Техническая документация

Datasheet MJF45H11G , pdf , 152 КБ
Datasheet , pdf , 215 КБ
Datasheet MJF45H11G , pdf , 149 КБ

MJF45H11G - характеристики, поставщики

Последняя цена 260 руб.

Техническая документация