CSD17308Q3 - характеристики, поставщики

CSD17308Q3

Последняя цена 33 руб.

CSD17308Q3

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TDFN8, АБ

N-Channel NexFET ™ Power MOSFET, Texas Instruments

Информация

Производитель

Texas Instruments

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2428760

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.168

Максимальный непрерывный ток стока

47 А

Максимальное рассеяние мощности

2.7 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.4мм

Высота

1.1мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

16,5 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N

Id - непрерывный ток утечки

50 A

Pd - рассеивание мощности

28 W

Qg - заряд затвора

3.9 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

10.3 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

8 V, + 8 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

900 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

5.7 ns

Время спада

2.3 ns

Длина

3.4мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

NexFET

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

NexFET

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Power MOSFET

Типичное время задержки выключения

9,9 нс

Типичное время задержки при включении

4.5 ns

Торговая марка

Texas Instruments

Упаковка / блок

VSON-CLIP-8

Тип корпуса

SON

Размеры

3.4 x 3.4 x 1.1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

4.5 ns

Производитель

Texas Instruments

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Число контактов

8

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

3,9 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

540 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

14A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

2.7W

Rds On - Drain-Source Resistance

10.3mО© @ 10A,8V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.8V @ 250uA

Средства разработки

BQ500211AEVM-210

Техническая документация

Datasheet , pdf , 521 КБ
Datasheet , pdf , 407 КБ