ISC019N04NM5ATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 55 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 100, корпус: PGTDSON8, АБ

МОП-транзистор TRENCH <= 40V

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2428432

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TDSON-FL

Рассеиваемая Мощность

100Вт

Полярность Транзистора

N-Channel

Напряжение Истока-стока Vds

40В

Непрерывный Ток Стока

170А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0015Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

3.4В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.1

Линейка Продукции

OptiMOS 5 Series

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

170 A

Pd - рассеивание мощности

100 W

Qg - заряд затвора

42 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.9 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Другие названия товара №

ISC019N04NM5 SP005352244

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

5000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TDSON-8

Техническая документация

Datasheet ISC019N04NM5ATMA1 , pdf , 1336 КБ
Datasheet ISC019N04NM5ATMA1 , pdf , 1278 КБ

ISC019N04NM5ATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 55 руб.

Техническая документация