BSC080N12LSGATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 80 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 5000, корпус: PGTDSON8, АБ

МОП-транзистор TRENCH >=100V

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2428419

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.1

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

99 A

Pd - рассеивание мощности

156 W

Qg - заряд затвора

79 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

8 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

120 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.4 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

9 ns

Время спада

13 ns

Другие названия товара №

BSC080N12LS G SP002256844

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

60 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

5000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

37 ns

Типичное время задержки при включении

11 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TDSON-8

Упаковка

Reel, Cut Tape

Техническая документация

Datasheet BSC080N12LSGATMA1 , pdf , 1339 КБ

BSC080N12LSGATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 80 руб.

Техническая документация