ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSC077N12NS3GATMA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSC077N12NS3GATMA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSC077N12NS3GATMA1
Последняя цена
150 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 5000, корпус: PGTDSON8, АБ
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2428415
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.1
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Максимальный непрерывный ток стока
98 A
Максимальное рассеяние мощности
139 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.1мм
Высота
1.1мм
Количество элементов на ИС
1
Length
5.9 mm
Brand
Infineon Technologies
Series
OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
7,7 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
120 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Package / Case
PG-TDSON-8
Technology
Si
Длина
5.35мм
Серия
OptiMOS 3
Типичное время задержки выключения
41 нс
Тип корпуса
TDSON
Размеры
5.35 x 6.1 x 1.1мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
26 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
66 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
4300 пФ при 60 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Rds On - Drain-Source Resistance
7.7 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
120 V
Vgs - Gate-Source Voltage
10 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Width
5.15 mm
Height
1.27 mm
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Packaging
Cut Tape or Reel
Product Category
MOSFET
Typical Turn-On Delay Time
15 ns
Typical Turn-Off Delay Time
26 ns
Factory Pack Quantity
5000
Fall Time
7 ns
Forward Transconductance - Min
40 S
Id - Continuous Drain Current
98 A
Manufacturer
Infineon
Mounting Style
SMD/SMT
Number Of Channels
1 Channel
Pd - Power Dissipation
139 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
66 nC
Rise Time
8 ns
Subcategory
MOSFETs
Tradename
OptiMOS
Transistor Type
1 N-Channel
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V
Part # Aliases
BSC077N12NS3 BSC77N12NS3GXT G SP000652750
Техническая документация
Datasheet BSC077N12NS3GATMA1 , pdf
, 1444 КБ
Datasheet BSC077N12NS3GATMA1 , pdf
, 1394 КБ
