IRFB7530PBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 300 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-220AB, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 195 А

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 195 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2426963

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

3.5

Максимальный непрерывный ток стока

195 A

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.83мм

Высота

16.51мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

2 MΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Структура

N-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

195

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

375

Корпус

TO220AB

Id - непрерывный ток утечки

295 A

Pd - рассеивание мощности

375 W

Qg - заряд затвора

274 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.65 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.7 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

141 ns

Время спада

104 ns

Длина

10.67мм

Другие названия товара №

SP001575524

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Коммерческое обозначение

StrongIRFET

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

242 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

StrongIRFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Типичное время задержки выключения

172 нс

Типичное время задержки при включении

52 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.67 x 4.83 x 16.51мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

52 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

274 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

13703 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Крутизна характеристики S,А/В

242

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

3.7

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

Температура, С

-55...+175

Особенности

StrongIRFET

Техническая документация

irfs7530pbf Datasheet , pdf , 655 КБ
Datasheet , pdf , 656 КБ

IRFB7530PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 300 руб.

Техническая документация