ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PMBS3906,215 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PMBS3906,215
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PMBS3906,215
Последняя цена
28 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: SOT-23 (TO-236AB), инфо: Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А
Малосигнальные транзисторы PNP, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2426283
Технические параметры
Вес, г
0.05
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.4 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Transistor Configuration
Single
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
40 V
Package Type
SOT-23 (TO-236AB)
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
1.4mm
Maximum DC Collector Current
100 mA
Height
1mm
Pin Count
3
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
30
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Pd - Power Dissipation
250mW
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0.95 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 126 КБ
Datasheet PMBS3906 , pdf
, 186 КБ
Datasheet PMBS3906,215 , pdf
, 125 КБ