FDS6912A, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 69 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов

корпус: 8-SOIC N, инфо: Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6 А, 1.6Вт

Двойной N-канальный МОП-транзистор PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
ON Полевые МОП-транзисторы Semis PowerTrench® оптимизированы с переключением мощности, что обеспечивает повышенную эффективность системы и удельную мощность. Они сочетают в себе небольшой заряд затвора, малое обратное восстановление и мягкий диод с обратным восстановлением, что способствует быстрому переключению синхронного выпрямления в источниках питания переменного / постоянного тока.
Характеристики мягких диодов полевых МОП-транзисторов PowerTrench® позволяют устранить демпфирующую цепь или заменить полевой МОП-транзистор с более высоким номинальным напряжением.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2425357

Технические параметры

Вес, г

0.3

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOIC

Transistor Material

Length

5mm

Brand

ON Semiconductor

Series

PowerTrench

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

5.8 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Isolated

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Maximum Power Dissipation

1.6 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4mm

Height

1.5mm

Maximum Drain Source Resistance

44 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet FDS6912A , pdf , 220 КБ

FDS6912A - характеристики, поставщики

Последняя цена 69 руб.

Техническая документация