IPD60R210PFD7SAUMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 60 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: PGTO2523, АБ

МОП-транзистор CONSUMER

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2421661

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-252 (DPAK)

Рассеиваемая Мощность

64Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

600В

Непрерывный Ток Стока

16А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.171Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

4В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.1

Линейка Продукции

CoolMOS PFD7 SJ Series

Минимальная рабочая температура

40 C

Id - непрерывный ток утечки

16 A

Pd - рассеивание мощности

64 W

Qg - заряд затвора

23 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

386 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

16 ns

Время спада

7 ns

Другие названия товара №

IPD60R210PFD7S SP003235792

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

57 ns

Типичное время задержки при включении

20 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

PG-TO252-3-11

Упаковка

Reel, Cut Tape

Чувствительный к влажности

Yes

Техническая документация

Datasheet IPD60R210PFD7SAUMA1 , pdf , 637 КБ
Datasheet IPD60R210PFD7SAUMA1 , pdf , 636 КБ

IPD60R210PFD7SAUMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 60 руб.

Техническая документация