ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N2907A - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Microchip Technology
2N2907A
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N2907A
Последняя цена
580 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Информация
Производитель
Microchip Technology
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2419605
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 200 C
Полярность Транзистора
PNP
Pd - рассеивание мощности
500 mW (1/2 W)
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
600 mA
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Microsemi
Упаковка
Bulk
Упаковка / блок
TO-18-3
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
400 mV
RoHS
N
