ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRLZ44NSTRLPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRLZ44NSTRLPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRLZ44NSTRLPBF
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: D2PAK, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 47 А
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 47 А, Сопротивление открытого канала (мин) 22 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2418287
Технические параметры
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
1.7
Ширина
6.22 mm
Высота
2.3 mm
Id - непрерывный ток утечки
47 A
Pd - рассеивание мощности
110 W
Qg - заряд затвора
32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
35 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
55 V
Vgs - напряжение затвор-исток
16 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Длина
6.5 mm
Другие названия товара №
SP001553014
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
800
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-252-3
Техническая документация
IRLZ44NSPBF Datasheet , pdf
, 341 КБ
Datasheet IRLZ44NSTRLPBF , pdf
, 339 КБ