IPP032N06N3GXKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-220, инфо: Полевой транзистор N-канальный 60В 120A 188Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба, CoolMOS

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, от 60 до 80 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2417052

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.97

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Package Type

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Высота

15.95mm

Transistor Material

Количество элементов на ИС

Length

10.36mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

3,2 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

124 nC @ 10 V

Номер канала

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Прямое напряжение диода

1.2V

Base Product Number

IPP032 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

120A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

13000pF @ 30V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

188W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 100A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 118ВµA

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Power Dissipation

188 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.57mm

Height

15.95mm

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

Forward Diode Voltage

1.2V

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

IPP032N06N3GXKSA1 , pdf , 1005 КБ
Datasheet , pdf , 1000 КБ
Datasheet , pdf , 1001 КБ

IPP032N06N3GXKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация