FMMT495TA, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 12 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

NPN-транзисторы общего назначения, до 1,5 А, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2416736

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.046

Base Product Number

FMMT495 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 250mA, 10V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

500mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

150V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0,3 В

Length

3мм

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Maximum Power Dissipation

200 мВт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4мм

Maximum DC Collector Current

Dimensions

3 x 1.4 x 1.1мм

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Pd - Power Dissipation

500mW

Максимальное напряжение коллектор-база

-170 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

3 x 1.4 x 1.1мм

Pd - рассеивание мощности

500 mW (1/2 W)

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.1мм

Длина

3мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

170 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

150 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

FMMT495

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.3 V

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

200 mW

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.3 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

150 В

Максимальный пост. ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1 В

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 474 КБ
Datasheet , pdf , 481 КБ

FMMT495TA - характеристики, поставщики

Последняя цена 12 руб.

Техническая документация