ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NX3008PBK,215, Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
NX3008PBK,215, Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NX3008PBK,215, Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Последняя цена
3.1 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор с каналом P, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
NX3008PBK,215
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2416717
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOT-23
Высота
1мм
Transistor Material
Кремний
Length
3мм
Brand
Nexperia
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
0.55 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Base Product Number
NX3008 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
230mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.72nC @ 4.5V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
46pF @ 15V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max)
350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1Ohm @ 200mA, 4.5V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-236AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250ВµA
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
230mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
350mW
Rds On - Drain-Source Resistance
4.1О© @ 200mA,4.5V
Transistor Polarity
P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30V
Vgs - Gate-Source Voltage
1.1V @ 250uA
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
230 мА
Maximum Power Dissipation
1,14 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4мм
Maximum Drain Source Resistance
6.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
P
Техническая документация
Datasheet NX3008PBK,215 , pdf
, 1603 КБ
Datasheet NX3008PBK,215 , pdf
, 874 КБ