IGLD60R190D1AUMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1030 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 10, корпус: PGLSON8, АБ

Биполярные транзисторы - BJT GAN HV

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2416476

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

PG-LSON-8-1

Полярность Транзистора

NPN

Напряжение Истока-стока Vds

600В

Непрерывный Ток Стока

10А

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.1

Линейка Продукции

CoolGaN Series

Минимальная рабочая температура

55 C

Pd - рассеивание мощности

62.5 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Другие названия товара №

IGLD60R190D1 SP001705426

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

LSON-8

Упаковка

Reel, Cut Tape

Чувствительный к влажности

Yes

Gate Charge Typ (Qg)

3.2нКл

On Resistance Rds(on) Max

0.14Ом

Максимальный постоянный ток коллектора

23 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

600 V

Непрерывный коллекторный ток

10 A

Техническая документация

Datasheet IGLD60R190D1AUMA1 , pdf , 523 КБ
Datasheet IGLD60R190D1AUMA1 , pdf , 495 КБ

IGLD60R190D1AUMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1030 руб.

Техническая документация