ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP13NK60ZFP - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP13NK60ZFP
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP13NK60ZFP
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: TO-220FP, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 13 А
N-Channel MDmesh ™ SuperMESH ™, от 250 до 650 В, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2416227
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
2.58
Максимальный непрерывный ток стока
13 А
Максимальное рассеяние мощности
35 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
16.4мм
Количество элементов на ИС
1
Series
SuperMESHв„ў ->
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
550 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Base Product Number
STP13 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
92nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2030pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)
35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 4.5A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220FP
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100ВµA
Id - непрерывный ток утечки
13 A
Pd - рассеивание мощности
35 W
Qg - заряд затвора
66 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
550 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.75 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
14 ns
Время спада
12 ns
Длина
10.4мм
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
SuperMESH
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
11 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
MDmesh, SuperMESH
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
61 нс
Типичное время задержки при включении
22 ns
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка / блок
TO-220FP-3
Упаковка
Tube
Other Related Documents
http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Тип корпуса
TO-220FP
Размеры
10.4 x 4.6 x 16.4мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
22 нс
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
66 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2030 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
13A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
35W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
550mО© @ 4.5A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600V
Vgs - Gate-Source Voltage
4.5V @ 100uA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 490 КБ
Datasheet , pdf
, 476 КБ