ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7842TRPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7842TRPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7842TRPBF
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: 8-SO, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 18 А, 2.5Вт
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2416225
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.14
Максимальный непрерывный ток стока
18 А
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
5.9 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
-40 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
18
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2.5
Корпус
SO8
Длина
5мм
Серия
HEXFET
Типичное время задержки выключения
21 ns
Тип корпуса
SOIC
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
2.25V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
33 nC @ 4.5 V
Типичная входная емкость при Vds
4500 пФ при 20 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
18A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
2.5W
Rds On - Drain-Source Resistance
5mО© @ 17A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
40V
Vgs - Gate-Source Voltage
2.25V @ 250uA
Крутизна характеристики S,А/В
81
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
2.25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
5
Температура, С
-55...+150
Техническая документация
irf7842pbf , pdf
, 237 КБ
Datasheet IRF7842TRPBF , pdf
, 221 КБ
