ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTR5198NLT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTR5198NLT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTR5198NLT1G
Последняя цена
11 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 60 В, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2415985
Технические параметры
Вес, г
0.031
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOT-23
Transistor Material
Si
Length
3.04mm
Brand
ON Semiconductor
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
5.1 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
2.2 A
Maximum Power Dissipation
900 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4мм
Height
1.01mm
Maximum Drain Source Resistance
155 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
