FDA59N30, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 410 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-3PN, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 59 А

Trans MOSFET N-CH 300V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
Корпус TO3P

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2414336

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

7.61

Максимальное рассеяние мощности

500 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5 mm

Высота

20.1 mm

Количество элементов на ИС

Brand

onsemi

Series

UniFETв„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

FDA59 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

59A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4670pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

Power Dissipation (Max)

500W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 29.5A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3PN

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

59 A

Pd - рассеивание мощности

500 W

Qg - заряд затвора

100 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

56 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

300 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

575 ns

Время спада

200 ns

Длина

16.2 mm

Другие названия товара №

FDA59N30_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

450

Серия

FDA59N30

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

120 ns

Типичное время задержки при включении

140 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-3PN-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-3P

Число контактов

Страна происхождения

Техническая документация

FDA59N30 , pdf , 1919 КБ
Datasheet FDA59N30 , pdf , 1902 КБ
Datasheet FDA59N30 , pdf , 1915 КБ

FDA59N30 - характеристики, поставщики

Последняя цена 410 руб.

Техническая документация