STP6N80K5, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 250 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-220, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 4.5 А

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2413701

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.73

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

4.5 A

Pd - рассеивание мощности

85 W

Qg - заряд затвора

13 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.6 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

7.5 ns

Время спада

16 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

MDmesh

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STP6N80K5

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

28.5 ns

Типичное время задержки при включении

16 ns

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet , pdf , 114 КБ
Datasheet , pdf , 1267 КБ

STP6N80K5 - характеристики, поставщики

Последняя цена 250 руб.

Техническая документация