ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZXMP7A17GQTA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZXMP7A17GQTA
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
ZXMP7A17GQTA
Последняя цена
160 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2413692
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
0.112
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
2.6 A
Pd - рассеивание мощности
3.9 W
Qg - заряд затвора
18 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
160 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
70 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
3.4 ns
Время спада
8 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
4.4 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
ZXMP7
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
27.9 ns
Типичное время задержки при включении
2.5 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-223-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
2.6A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
2W
Rds On - Drain-Source Resistance
160mО© @ 2.1A,10V
Transistor Polarity
P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
70V
Vgs - Gate-Source Voltage
1V @ 250uAпј€Minпј‰
Квалификация
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 692 КБ