ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DMG3415UFY4Q-7 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DMG3415UFY4Q-7
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
DMG3415UFY4Q-7
Последняя цена
73 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2412676
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
P-Channel
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
DMG3415 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
282pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
3-XDFN
Power Dissipation (Max)
650mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 4A, 4.5V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
X2-DFN2015-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
2.5 A
Pd - рассеивание мощности
1.35 W
Qg - заряд затвора
10 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
65 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
16 V
Vgs - напряжение затвор-исток
8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
175 ns
Время спада
568 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
7.9 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
DMG3415
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
885 ns
Типичное время задержки при включении
79 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
X2-DFN2015-3
Квалификация
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet DMG3415UFY4Q-7 , pdf
, 381 КБ
