IPA60R460CEXKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 63 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP, АБ

N-канал, 600 В, 9,1 А (Tc), 30 Вт (Tc), сквозное отверстие, PG-TO220-FP

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2412287

Технические параметры

Вес, г

2.87

Series

CoolMOSв„ў CE ->

Base Product Number

IPA60R460 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

9.1A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 100V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

30W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

460mOhm @ 3.4A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-FP

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 280ВµA

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

9.1A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

30W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

3.5V @ 280uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1236 КБ

IPA60R460CEXKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 63 руб.

Техническая документация