FJV42MTF, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 68 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage Transistor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2412266

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.008

Base Product Number

FJV42 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

500mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 10V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

50MHz

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

350mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

350V

Pd - рассеивание мощности

350 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

350 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

350 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

500 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

FJV42MTF

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SOT-23-3

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

50 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 274 КБ
Datasheet FJV42MTF , pdf , 272 КБ

FJV42MTF - характеристики, поставщики

Последняя цена 68 руб.

Техническая документация