ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQA10N80C-F109, Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FQA10N80C-F109, Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQA10N80C-F109, Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Последняя цена
210 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор 800V N-Ch QFET Advance
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FQA10N80C-F109
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2412258
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Ширина
5 mm
Высота
20.1 mm
Series
QFETВ® ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
FQA1 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Power Dissipation (Max)
240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-3P
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
10 A
Pd - рассеивание мощности
240 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
130 ns
Время спада
80 ns
Длина
16.2 mm
Другие названия товара №
FQA10N80C_F109
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
QFET
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
450
Серия
FQA10N80C_F109
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
90 ns
Типичное время задержки при включении
50 ns
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок
TO-3PN-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet FQA10N80C-F109 , pdf
, 997 КБ
Datasheet FQA10N80C-F109 , pdf
, 1562 КБ
Datasheet FQA10N80C-F109 , pdf
, 1088 КБ