ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFR360FH6765XTSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BFR360FH6765XTSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFR360FH6765XTSA1
Последняя цена
86 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - RF
РЧ-транзистор NPN 9V 35mA 14GHz 210mW Surface Mount PG-TSFP-3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2412185
Технические параметры
Base Product Number
BFR360 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
35mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
90 @ 15mA, 3V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
14GHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SOT-723
Power - Max
210mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TSFP-3
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
9V
Gain
15.5dB
Noise Figure (dB Typ @ f)
1dB @ 1.8GHz
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 579 КБ
