ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DMN2020UFCL-7 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DMN2020UFCL-7
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
DMN2020UFCL-7
Последняя цена
75 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2411986
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Brand
Diodes Incorporated
Series
DMN2020
Минимальная рабочая температура
55 C
Package / Case
X1-DFN1616-6
Technology
Si
Id - непрерывный ток утечки
9 A
Pd - рассеивание мощности
2 W
Qg - заряд затвора
21.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
14 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
900 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
5.7 ns
Время спада
6.8 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
DMN2020
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
33 ns
Типичное время задержки при включении
3.8 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
X1-DFN1616-6
Rds On - Drain-Source Resistance
14 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Vgs - Gate-Source Voltage
10 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Packaging
Cut Tape or Reel
Product Category
MOSFET
Typical Turn-On Delay Time
3.8 ns
Typical Turn-Off Delay Time
33 ns
Factory Pack Quantity
3000
Fall Time
6.8 ns
Id - Continuous Drain Current
9 A
Manufacturer
Diodes Incorporated
Mounting Style
SMD/SMT
Number Of Channels
1 Channel
Pd - Power Dissipation
2 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
21.5 nC
Rise Time
5.7 ns
Subcategory
MOSFETs
Transistor Type
1 N-Channel
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage
900 mV
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 309 КБ
