ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFSL7787PBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFSL7787PBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFSL7787PBF
Последняя цена
360 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 75V Single N-Channel HEXFET
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2411983
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
2.084
Ширина
4.5 mm
Высота
9.45 mm
Series
HEXFETВ®, StrongIRFETв„ў ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
IRFSL7787 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
76A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
109nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4020pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 46A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-262
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 100ВµA
Id - непрерывный ток утечки
76 A
Pd - рассеивание мощности
125 W
Qg - заряд затвора
73 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
8.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
75 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.7 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
48 ns
Время спада
39 ns
Длина
10.2 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
StrongIRFET
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
154 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
51 ns
Типичное время задержки при включении
11 ns
Торговая марка
Infineon / IR
Упаковка / блок
TO-262-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 948 КБ
Datasheet , pdf
, 928 КБ