ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPI111N15N3GAKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPI111N15N3GAKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPI111N15N3GAKSA1
Последняя цена
900 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-Ch 150V 83A I2PAK-3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2411876
Технические параметры
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
2.084
Ширина
4.5 mm
Высота
9.45 mm
Id - непрерывный ток утечки
83 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
10.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
150 V
Вид монтажа
Through Hole
Длина
10.2 mm
Другие названия товара №
G IPI111N15N3 SP000680232
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
OptiMOS
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
500
Серия
OptiMOS 3
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-262-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 741 КБ
