ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFB3256PBF, Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFB3256PBF, Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFB3256PBF, Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Последняя цена
174 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор МОП-транзистор, 60V, 210A, 3 130 nC Qg, TO-220AB
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFB3256PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2411673
Технические параметры
Полярность Транзистора
N-Channel
Ширина
4.4 mm
Высота
15.65 mm
Series
HEXFETВ® ->
Base Product Number
IRFB3256 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6600pF @ 48V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 75A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150ВµA
Id - непрерывный ток утечки
210 A
Pd - рассеивание мощности
300 W
Qg - заряд затвора
130 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
77 ns
Время спада
64 ns
Длина
10 mm
Другие названия товара №
SP001577830
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
88 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
55 ns
Типичное время задержки при включении
22 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
irfb3256pbf , pdf
, 254 КБ
Datasheet IRFB3256PBF , pdf
, 269 КБ