NX3020NAKW,115, Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 3-Pin SC-70 T/R, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3.8 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

• Очень быстрое переключение
• Технология Trench MOSFET
• Защита от электростатического разряда
• Низкое пороговое напряжение
• От -55 до 150 ° C Диапазон температур перехода

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

NX3020NAKW,115

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2411543

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

NX3020 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

180mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.44nC @ 4.5V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power Dissipation (Max)

260mW (Ta), 1.1W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

180 mA

Pd - рассеивание мощности

300 mW

Qg - заряд затвора

0.34 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.5 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V, + 10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

800 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

5 ns

Время спада

17 ns

Другие названия товара №

934067071115

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Trench MOSFET

Типичное время задержки выключения

34 ns

Типичное время задержки при включении

5 ns

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-323-3

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

180mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

260mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet NX3020NAKW,115 , pdf , 713 КБ
Datasheet NX3020NAKW,115 , pdf , 253 КБ
Datasheet NX3020NAKW.115 , pdf , 712 КБ

NX3020NAKW,115, Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 3-Pin SC-70 T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 3.8 руб.

Техническая документация