ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJD31CT4-A - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
MJD31CT4-A
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJD31CT4-A
Последняя цена
72 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT LO VLT NPN PWR TRANS
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2411451
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
1.8
Pd - рассеивание мощности
15000 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
2.4 mm
Длина
6.6 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
3 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
MJD31CT4-A
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка / блок
TO-252-3
Ширина
6.2 mm
Квалификация
AEC-Q101
Технология
Si
Техническая документация
Datasheet MJD31CT4-A , pdf
, 402 КБ
Datasheet , pdf
, 391 КБ
Datasheet MJD31CT4-A , pdf
, 391 КБ