2N7002BKS.115, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 7 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TSSOP6

Корпус TSSOP6

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2410225

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.043

Максимальный непрерывный ток стока

300 mA

Максимальное рассеяние мощности

445 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.35мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Series

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

2N7002 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

300mA

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

6-TSSOP

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 250ВµA

FET Feature

Logic Level Gate

Power - Max

295mW

Id - непрерывный ток утечки

350 mA

Pd - рассеивание мощности

440 mW

Qg - заряд затвора

0.6 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.6 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

6 ns

Время спада

7 ns

Длина

2.2мм

Другие названия товара №

934064284115

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

550 mS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

2 N-Channel

Типичное время задержки выключения

12 нс

Типичное время задержки при включении

5 ns

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

5 нс

Производитель

Nexperia

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

0,5 нКл

Типичная входная емкость при Vds

33 пФ при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

300mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

295mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

2 N Channel(Double)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.1V @ 250uA

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet 2N7002BKS,115 , pdf , 927 КБ
Datasheet 2N7002BKS,115 , pdf , 357 КБ
Datasheet 2N7002BKS.115 , pdf , 726 КБ
Datasheet , pdf , 478 КБ

2N7002BKS.115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 7 руб.

Техническая документация