IPA057N08N3GXKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 240 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: PG-TO-220-FP, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 60 А

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, от 60 до 80 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2410197

Технические параметры

Вес, г

3.25

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

TO-220FP

Transistor Material

Length

10.65mm

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 3

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

18 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Power Dissipation

39 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.85mm

Height

16.15mm

Maximum Drain Source Resistance

9.9 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.2V

Техническая документация

Datasheet IPA057N08N3GXKSA1 , pdf , 593 КБ

IPA057N08N3GXKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 240 руб.

Техническая документация