ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DMN67D7L-7 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DMN67D7L-7
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
DMN67D7L-7
Последняя цена
47 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 60 В 210 мА (Ta) 570 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23-3
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2409153
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
DMN67 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
210mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.821nC @ 10V
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
22pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max)
570mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±40V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
210 mA
Pd - рассеивание мощности
570 mW
Qg - заряд затвора
821 pC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
40 V, + 40 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
800 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
3 ns
Время спада
5.6 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
7.6 ns
Типичное время задержки при включении
2.8 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-23-3
Техническая документация
Datasheet DMN67D7L-7 , pdf
, 384 КБ
Datasheet DMN67D7L-7 , pdf
, 317 КБ
