BCV62AE6327HTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 78 руб.

Сравнить

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Биполярный (BJT) транзисторный массив 2 PNP (двойной) 30 В 100 мА 250 МГц 300 мВт поверхностный монтаж PG-SOT143-4

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2406692

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Base Product Number

BCV62 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

125 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

250MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-253-4, TO-253AA

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT143-4

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

30V

Transistor Configuration

Токовое зеркало

Максимальное напряжение коллектор-база

30 V

Тип монтажа

Surface Mount

Тип транзистора

PNP

Размеры

1 x 2.9 x 1.3мм

Высота

1мм

Длина

2.9мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Ширина

1.3

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,65 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 V

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

250 МГц

Число контактов

Тип корпуса

SOT-143

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,85 В

Производитель

Infineon

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

BCV62AE6327HTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 78 руб.