PMST3904.115 - характеристики, поставщики

PMST3904.115

Последняя цена 2 руб.

PMST3904.115

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703

Малосигнальные NPN-транзисторы

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2406350

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.044

Base Product Number

PMST3904 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

200mA

Current - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

300MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

200mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

40V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.3 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

2.2mm

Maximum Collector Base Voltage

60 V

Transistor Configuration

Single

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

40 V

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Maximum Power Dissipation

200 mW

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

1.35mm

Maximum DC Collector Current

200 mA

Height

1mm

Pin Count

3

Dimensions

1 x 2.2 x 1.35mm

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Minimum DC Current Gain

30

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Pd - Power Dissipation

200mW

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

2.2 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.2 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

40 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-323-3

Ширина

1.35 mm

Другие названия товара №

PMST3904 T/R

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

300 MHz

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0.95 V

Техническая документация

PMST3904 , pdf , 350 КБ
PMST3904 , pdf , 204 КБ
Datasheet PMST3904,115 , pdf , 144 КБ
Datasheet , pdf , 203 КБ