ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC857W.115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BC857W.115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC857W.115
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2405853
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.031
Base Product Number
BC857 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
125 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power - Max
200mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-323
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Maximum DC Collector Current
100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Pd - Power Dissipation
200mW
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
2.2 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
125
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.1 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-323-3
Ширина
1.35 mm
Другие названия товара №
934021830115
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
125 at 2 mA, 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 370 КБ
Datasheet , pdf
, 219 КБ
Datasheet , pdf
, 158 КБ
