ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPA060N06NM5SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPA060N06NM5SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IPA060N06NM5SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET
Последняя цена
100 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
P/N
IPA060N06NM5SXKSA1
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2405842
Технические параметры
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220FP
Вес, г
2
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Полярность транзистора
N Канал
Transistor Mounting
Through Hole
Линейка Продукции
OptiMOS 5 Series
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
56А
Пороговое Напряжение Vgs
2.8В
Рассеиваемая Мощность
33Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0052Ом
Техническая документация
Datasheet IPA060N06NM5SXKSA1 , pdf
, 1061 КБ