ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IMW65R048M1HXKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IMW65R048M1HXKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IMW65R048M1HXKSA1
Последняя цена
1260 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 30, корпус: PGTO2473, АБ
МОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2404214
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Рассеиваемая Мощность
125Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
650В
Непрерывный Ток Стока
39А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.048Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
18В
Пороговое Напряжение Vgs
4.5В
Вес, г
6.15
MOSFET Configuration
Single
Линейка Продукции
CoolSiC M1 Series
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
IMW65R048 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
39A (Tc)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Package
Tube
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Id - непрерывный ток утечки
39 A
Pd - рассеивание мощности
125 W
Qg - заряд затвора
33 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
64 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
5 V, + 23 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5.7 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
12.4 ns
Время спада
11.4 ns
Другие названия товара №
IMW65R048M1H SP005398439
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
CoolSiC
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
240
Серия
IMW65R048
Технология
SiC
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
15.4 ns
Типичное время задержки при включении
14.6 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-247-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet IMW65R048M1HXKSA1 , pdf
, 1470 КБ
Datasheet IMW65R048M1HXKSA1 , pdf
, 1399 КБ
