ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PBSS9110Z,135 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PBSS9110Z,135
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PBSS9110Z,135
Последняя цена
43 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: SC-73, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 1 А 0.3Вт
Транзисторы PNP общего назначения, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2404179
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.2
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
120 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Pd - рассеивание мощности
1400 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.7мм
Длина
6.7мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
150 at 1 mA, 5 V, 150 at 250 mA, 5 V, 150 at 500
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
4000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SC-73-3
Ширина
3.7мм
Другие названия товара №
934057978135
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
150 at 1 mA, 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.32 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальный пост. ток коллектора
1 А
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
4
Тип корпуса
SOT-223 (SC-73)
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,1 В
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
125
Техническая документация
Datasheet PBSS9110Z,135 , pdf
, 199 КБ
