ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPS70R2K0CEAKMA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPS70R2K0CEAKMA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPS70R2K0CEAKMA1
Последняя цена
130 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор CONSUMER
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2401739
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.3393
Series
CoolMOSв„ў ->
Минимальная рабочая температура
40 C
Base Product Number
IPS70R2 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
700V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
163pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Power Dissipation (Max)
42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 1A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70ВµA
FET Feature
Super Junction
Id - непрерывный ток утечки
4 A
Pd - рассеивание мощности
42 W
Qg - заряд затвора
7.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
700 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
Through Hole
Другие названия товара №
IPS70R2K0CE SP001471300
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
CoolMOS
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1500
Серия
CoolMOS CE
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-251-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 932 КБ
Datasheet IPS70R2K0CEAKMA1 , pdf
, 1079 КБ