ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N7002W, Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N7002W, Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2N7002W, Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R
Последняя цена
5.9 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70
Корпус SC703
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
2N7002W
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2401724
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
115 mA
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
1.25мм
Высота
1мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
13,5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Base Product Number
2N7002 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power Dissipation (Max)
200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SC-70 (SOT323)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250ВµA
Длина
2мм
Типичное время задержки выключения
12,5 нс
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Размеры
2 x 1.25 x 1мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
5,85 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3
Типичная входная емкость при Vds
37,8 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet 2N7002W , pdf
, 135 КБ