BSS138DW-7-F, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 25 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SOT-363, инфо: Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 50 В, 200 мА

BSS138DW-7-F - это двухканальный полевой МОП-транзистор с улучшенным режимом работы, разработанный для минимизации сопротивления RDS (ON) в открытом состоянии при сохранении превосходных коммутационных характеристик. Он идеально подходит для приложений переключения нагрузки.

• Низкое сопротивление в открытом состоянии
• Низкое пороговое напряжение затвора
• Низкая входная емкость
• Быстрое переключение
• Без галогенов
• Класс воспламеняемости UL94V-0

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2401562

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-363

Рассеиваемая Мощность

200мВт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

50В

Непрерывный Ток Стока

200мА

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

3.5Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

1.2В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.03

Максимальный непрерывный ток стока

200 mA

Package Type

SOT-363 (SC-88)

Максимальное рассеяние мощности

200 mW

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

1.35мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Изолированный

Brand

DiodesZetex

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

3.5 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

50 V

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

2.2мм

Типичное время задержки выключения

20 ns

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

20 ns

Производитель

DiodesZetex

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5

Число контактов

Категория

Малый сигнал

Типичная входная емкость при Vds

50 пФ при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

200mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

200mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

2 N Channel(Double)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

50V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.5V @ 250uA

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.35мм

Height

1мм

Maximum Drain Source Resistance

3,5 Ω

Channel Mode

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Техническая документация

Datasheet BSS138DW-7-F , pdf , 215 КБ

BSS138DW-7-F - характеристики, поставщики

Последняя цена 25 руб.

Техническая документация