IRFI3205PBF, Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 115 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFI3205PBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2401559

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

64 A

Максимальное рассеяние мощности

63 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.83мм

Высота

9.8мм

Количество элементов на ИС

Length

10.75мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

HEXFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

8 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Base Product Number

IRFI3205 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

64A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

63W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 34A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB Full-Pak

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Длина

10.75мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

43 нс

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.75 x 4.83 x 9.8мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

14 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

170 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

4000 pF@ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

64A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

63W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

8mО© @ 34A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

55V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Maximum Continuous Drain Current

64 A

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.83мм

Maximum Drain Source Resistance

8 мΩ

Maximum Drain Source Voltage

55 В

Channel Mode

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

IRFI3205 Datasheet , pdf , 113 КБ
Datasheet IRFI3205PBF , pdf , 506 КБ
Datasheet IRFI3205PBF , pdf , 278 КБ

IRFI3205PBF, Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - характеристики, поставщики

Последняя цена 115 руб.

Техническая документация