ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFSL4010PBF, Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFSL4010PBF, Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFSL4010PBF, Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Последняя цена
199 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFSL4010PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2399640
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Полярность Транзистора
N-Channel
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
9.65мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
4,7 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Id - непрерывный ток утечки
180 A
Pd - рассеивание мощности
375 W
Qg - заряд затвора
143 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вид монтажа
Through Hole
Длина
10.67мм
Другие названия товара №
SP001567760
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
HEXFET
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
100 нс
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-262-3
Упаковка
Tube
Тип корпуса
I2PAK (TO-262)
Размеры
10.67 x 4.83 x 9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
21 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
143 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
9575 пФ при 50 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
IRFS4010PBF Datasheet , pdf
, 364 КБ
Datasheet , pdf
, 285 КБ